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  东微半导体成立于2008年,注册资本3410万元,专注半导体器件技术创新,具有多项功率半导体焦点专利,焦点产物为中低高压功率器件。

东微半导体具有世界一流的手艺研发团队,其原创半浮栅手艺曾揭晓于国际顶级杂志《Science》。东微半导体致力于自主知识产权的半导体器件手艺的研发和产业化,是“长三角集成电路设计与制造协同立异中心”的焦点成员单元。公司已有40多项发明专利,包罗3个美国专利,有多项自主知识产权的国际原创焦点器件手艺。

GreenMOS手艺的长处:

1. 高软度深槽超等结手艺:专利技术处理深槽超等结的EMI成绩,在EMI获得处理的同时不丧失服从;

2. 泄电流(Idss)更小,耐压(BV)一致性更高;

3. 栅电荷(Qg)更小,栅极驱动电路要求低。意味着驱动IC中的功率管面积能够大幅缩小,驱动芯片面积可大幅缩小,本钱竞争力加强, Cgd电容小,开关速度快,开关消耗小,可用于高端350kHz电源体系。

DONGWEI -c

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